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IXFR230N20T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 100A
R G = 1 Ω (External)
100
160
28
2540
310
41
35
104
29
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 115A
378
125
86
0.15
0.25
nC
nC
nC
° C/W
° C/W
1 = Gate
2,4 = Drain
3 = Source
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 60A, V GS = 0V, Note 1
230
920
1.3
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 115A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 75V, V GS = 0V
0.74
10.60
200
ns
μ C
A
Note
1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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